Pada penelitian ini, dilakukan fabrikasi rangkaian terintegrasi (IC=Integrated Circuit) Masked-ROM 112 bits
dengan teknologi NMOS (n-channel Metal Oxide Semiconductor) berikut gerbang-gerbang logika. Gerbang
logika yang dipakai adalah inverter, AND, dan NOR. Proses-proses yang digunakan diantaranya pencucian
wafer, fotolitografi, oksidasi, deposisi polisilikon, dan metalisasi Aluminium. Dari hasil pengukuran terhadap
divais yang dibuat diperoleh threshold voltage positif. Karakterisasi gerbang logika secara umum telah
tercapai. Akan tetapi masked-ROM yang difabrikasi masih tidak sesuai dengan yang diharapkan.